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询价产品信息
类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 5 nC @ 4.5 V
Vgs（大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 162 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 NDS331
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 5 nC @ 4.5 V
Vgs（大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 162 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 NDS331